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產(chǎn)品中心

產(chǎn)品摘要

雙腔室熱型原子層沉積設(shè)備可沉積HfO2、ZrO2、Al2O3、SnO、MgO、FeO、TiO2等及其三元復(fù)合薄膜如HZO、AZO;等。可適用多片堆疊工藝，內(nèi)腔可整體拆卸方便清理保養(yǎng)。

產(chǎn)品介紹

設(shè)備特點(diǎn)：

★反應(yīng)內(nèi)腔和外腔配置獨(dú)立高性能MKS真空計(jì)，可實(shí)時(shí)觀察ALD工藝過程中壓強(qiáng)變化和內(nèi)外壓強(qiáng)差

★自動(dòng)控制軟件，操作簡單；具有CDA報(bào)警以及防溫度失控硬件保護(hù)功能，保障ALD工藝安全性

設(shè)備參數(shù)：

★樣品臺(tái)：8英寸樣品臺(tái)雙腔室反應(yīng)腔，兼容210×210 mm方形樣品，樣品臺(tái)空間高度100mm，可適用多片堆疊工藝

★加熱均勻性：真空內(nèi)輻射加熱，樣品溫度可加熱到400℃，反應(yīng)區(qū)域空間溫度在200℃時(shí)均勻性≤±2℃，溫度控制精度±0.5℃

★前驅(qū)體源：配置6路前驅(qū)體源：其中4路加熱金屬源、1路水前驅(qū)體源和1路臭氧前驅(qū)體源

★沉積非均勻性：8英寸內(nèi)沉積50nm氧化鋁非均勻性≤±1%

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